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產品簡介
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產品用途：
用于：企業、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導率數據.
雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
儀器特點：
800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀器采用四探針雙電組合測量方法測試方阻和電阻率系統與高溫箱結合配置高溫四探針測試探針治具與PC軟件對數據的處理和測量控制，解決半導體材料的電導率對溫度變化測量要求，軟件實時繪制出溫度與電阻，電阻率，電導率數據的變化曲線圖譜，及過程數據值的報表分析.
技術參數：
1.方塊電阻范圍 | 10^-6～2×10^5Ω/□ |
2.電阻率范圍 | 10^-7～2×10^6Ω-cm |
3.測試電流范圍 | 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA |
4.電流精度 | ±0.1讀數 |
5.電阻精度 | ≤0.3% |
PC軟件界面 | 顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率 |
7.測試方式 | 雙電測量 |
8.四探針儀工作電源 | AC 220V±10%.50Hz <30W |
9.誤差 | ≤3%（標準樣片結果 |
10.溫度(選購) | 常溫--200℃;400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃ |
11.氣氛保護（氣體客戶自備） | 常用氣體如下：氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均為無色、無臭、氣態的單原子分子 |
12.溫度精度 | 沖溫值：≤1-3℃；控溫精度：±1°C |
13.升溫速度： | 常溫開始400℃--800℃需要15分鐘；800℃-1200℃需要30分鐘；1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘 |
14.高溫材料 | 采用復合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征 |
15.PC軟件
| 測試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數據！ |
16.電極（探針）材料標配 | 鎢電極或鉬電極+電極（探針）陶瓷管 +高溫陶瓷樣品臺，1套. |
17.探針間距 | 直線型探針，探針間距：4mm； |
18.樣品要求 | 樣品長度要求≥13mm 樣品寬≥2mm或直徑≥13mm |
19.高溫電源：
| 供電：400-1200℃ 電源220V，功率2-4KW；380V;1400℃-1600℃電源380V；功率4-6KW： |
20.標配外（選購）： | a電腦和打印機1套；b.標準電阻1-5個； c.S型鉑銠探針電極（溫度范圍：200-1300度）； d.B型鉑銠探針電極（溫度范圍：1400-1600度） |
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